IT之家 5 月 8 日音问买球下单平台，英特尔近日晓谕完成天下首台商用高数值孔径（High NA）EUV 光刻机的装配，而这台耗资约 3.5 亿好意思元（IT之家备注：现时约 25.23 亿元东谈主民币）的大而无当将于年内负责启用。

TheElec 默示，ASML 铁心来岁上半年绝大部分高数值孔径 EUV 诞生的订单已进程英特尔承包，包括本年经餬口产的五套诞生将全部运给这家好意思国芯片制造商。

音问东谈主士称，由于 ASML 的高数值孔径 EUV 诞坐褥能每年约为 5 到 6 台，这意味着英特尔将取得统共驱动库存，而英特尔的竞争敌手三星和 SK 海力士瞻望将在来岁下半年材干取得该诞生。

▲ 图源：ASML

对于高数值孔径，IT之家这里不祥泄露一下。光刻诞生中的 NA 代表数值孔径，默示光学系统收罗和聚光的材干。数值越高，聚光的材干就越强。比拟于现时 EUV 诞生的 0.33 数值孔径，新一代 EUV 诞生的 NA 值平直增多到了 0.55，领有 1.7 倍于现在 0.33NA EUV 光刻机的一维密度，在二维步调上可终结 190% 的密度种植。

英特尔代工旗下逻辑技艺开采部门的光刻、硬件和科罚决策期骗菲利普斯默示，英特尔将于本年晚些时候将 High NA EUV 光刻机干预制程开采责任。

英特尔将在 18A 步调的见地考据节点上对 High NA EUV 和传统 0.33NA EUV 光刻的混杂使用进行测试，并在之后的 14A 节点上进入交易化量产阶段。

菲利普斯预测 High NA EUV 光刻机至少可在三代的改日节点上沿用，从而将光刻技艺的方法步调冲突到 1nm 以下量级。

对于改日光刻技艺发展，菲利普斯以为将明朗波出息一步裁减至 6.7nm 会引入大量新的问题，包括判辨更大的光学组件；在他眼中，更高的数值孔径（Hyper NA）是可能的技艺标的。

对于 High NA EUV 光刻带来的单芯片表面最大面积减小问题，菲利普斯默示英特尔正同 EDA 企业一皆就芯片“缝合”技艺进行开采，以简短谋略师使用。

▲ 图源：英特尔

由于英特尔于 2021 年重新进入芯片代工阛阓，是以需要比其竞争敌手更快地袭取高数值孔径 EUV 技艺来赢得客户的信任，不外英特尔代工业务旧年厌世了 70 亿好意思元（现时约 504.7 亿元东谈主民币），看起来还有很长的路要走。

磋商阅读：

]article_adlist-->

《英特尔晓谕天下首台商用 High NA EUV 光刻机完成拼装，筹办来岁干预研发使用》

《阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得首要冲突买球下单平台，见效印刷 10 纳米线宽图案》

]article_adlist-->告白声明：文内含有的对外跳转一语气（包括不限于超一语气、二维码、口令等体式），用于传递更多信息，松弛甄选时辰，效力仅供参考，IT之家统共著述均包含本声明。

]article_adlist--> 　　声明：新浪网独家稿件，未经授权拦阻转载。 -->